[科普中國(guó)]-可變程序

概述

用這樣的基本電路組成的存儲(chǔ)矩陣若輸出為全1時(shí)，則加規(guī)定高壓(在漏極與基片之間)及編程脈沖就可使某EPROM管導(dǎo)通，使輸出為0。由這樣的EPROM存儲(chǔ)電路做成的集成電路塊上方有一個(gè)石英玻璃窗口，當(dāng)用紫外線通過這個(gè)窗口照射時(shí)，所有電路中的浮空晶柵上的電荷會(huì)形成光電流泄漏走，使電路恢復(fù)起始狀態(tài)，從而把寫入的信號(hào)擦去。這樣經(jīng)過照射后的EPROM就可以實(shí)現(xiàn)重寫。由于寫的過程很慢，所以，這種電路在使用時(shí)，仍是作為ROM使用，EPROM允許用戶多次編程。

半導(dǎo)體ROM與半導(dǎo)體RAM一樣，其容量是可以擴(kuò)展的。擴(kuò)展容量包括位擴(kuò)展和字?jǐn)U展。1

位擴(kuò)展把兩片ROM的地址線和片選線并聯(lián)起來，對(duì)于某一組地址碼。在兩片ROM中各有一個(gè)字被選中，用它們可拼接成2倍字長(zhǎng)的字。在這里所舉的例子是用2片32字×8位的ROM擴(kuò)展成32字×16位的ROM，同樣，可以利用此方法構(gòu)成N位字長(zhǎng)的只讀存儲(chǔ)器。1

宇擴(kuò)展字?jǐn)?shù)的擴(kuò)展可以利用外加譯碼器控制j占片的片選(CS)輸入端來實(shí)現(xiàn)。圖是用字?jǐn)U展方式將4片256×8位的RAM擴(kuò)展為1024×8位RAM的系統(tǒng)框圖。圖中，譯碼器的輸入是系統(tǒng)的高位位址A9、A8，其輸出是各片RAM的片選信號(hào)。若A9A8=01，則RAM(2)片CS=0，其余各片RAM的CS均為1，故選中第二片。只有該片的信息可以讀出，送到位在線，讀出的內(nèi)容則由低位地址A7～A0決定。顯然，4片RAM輪流工作，任何時(shí)候，只有一片RAM處于工作狀杰，整個(gè)系統(tǒng)字?jǐn)?shù)擴(kuò)大了4倍，而字K仍為8位。2