[科普中國]-氮化硅膜

氮化硅膜(Silicon nitridc film)是指硅氮化合物的薄膜，常用作微電子技術電絕緣層?；瘜W計量比的氮化硅由正方氮化硅晶胞組成，多余的硅原子在其中排列成六方結構。

定義氮化硅膜是指硅氮化合物的薄膜1。

特征參量化學計量比的氮化硅由正方氮化硅晶胞組成，多余的硅原子在其中排列成六方結構。氮化硅低溫相的點陣常數為a=0.758nm，c=0.5623nm。它的介電常數高達6-7，擊穿場強1x107V·cm?？捎没瘜W氣相沉積和濺射法制備。

應用氮化硅膜主要用作微電子技術電絕緣層2。

制備方法通常采用等離子體化學氣相沉積（PCVD)制備，沉積溫度低于300℃。這樣得到的氮化硅膜(P-SiN)中通常含有大量氫(約2x1022cm)，Si /N比在0.8-1.0范圍，這對于性能有明顯的影響，因此要求嚴格控制工藝參數。P-Si N用作絕緣層的優(yōu)點是沉積溫度低、階梯覆蓋性好、耐水和堿離子作用、機械強度大、粘著性好、內應力低于氮化硅膜、可制成厚膜而不開裂。

優(yōu)缺點由于氮化硅具有高硬度(塊體硬度HV17.2GPa)和優(yōu)良的化學穩(wěn)定性，它是很受重視的耐磨抗蝕膜。但由于膨脹系數低，當沉積在金屬基材上時，產生較大的界面應力，對基體附著差3。

本詞條內容貢獻者為:

邱學農 - 副教授 - 濟南大學