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【半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)全景介紹】第十期--引領(lǐng)后摩爾的3D堆疊異構(gòu)集成

上傳時(shí)間：2022-08-23 10:47

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)全景介紹

原創(chuàng)

異構(gòu) 后摩爾 3D堆疊

復(fù)旦大學(xué)碩士，原創(chuàng)視頻：《半導(dǎo)體（芯片）產(chǎn)業(yè)全景介紹》

視頻簡(jiǎn)介：第四章：半導(dǎo)體各產(chǎn)品/環(huán)節(jié)的簡(jiǎn)略介紹第十期：引領(lǐng)后摩爾的3D堆疊異構(gòu)集成 4.37異構(gòu)集成仍由引領(lǐng)尺寸微縮的三家引領(lǐng)；前道3D-IC 4.38設(shè)計(jì)角度：3D堆疊盤活了集成體系：不同裸芯、IP、宏單元；同一IP內(nèi)、電路結(jié)構(gòu)內(nèi) 4.39廣義的制程：后摩爾的TSV密度與堆疊層數(shù)；仍尺寸更小，密度更高；將舍棄更多產(chǎn)品 4.40硅基算力仍是后摩爾主線；IP與SoC→Chiplet與3D-IC/SiP

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